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AS29LV800T-120TC 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV800T-120TC图片预览
型号: AS29LV800T-120TC
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内容描述: 3V 1M × 8 / 512K × 16的CMOS闪存EEPROM [3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 25 页 / 440 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
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2001年3月
®
AS29LV800
临时
扇形
撤消
RESET
掉电
自动
睡眠模式
描述
暂时禁用在系统数据的变化,以保护行业部门的保护。适用于+ 10V至RESET
启动临时机构撤消模式。在临时机构撤消模式,程序保护
扇区通过选择适当的扇区地址。所有受保护的行业恢复到搬迁保护状态
从复位+ 10V 。
重置INTERAL状态机读方式。如果设备是编程或擦除时, RESET = L ,数据
可能已损坏。
按住RESET低进入深度掉电模式(
& LT ;
1 μA ) 。恢复时间,开始的第一个读周期为50ns 。
当地址保持稳定为300ns自动启用。典型电流消耗为1 μA 。现有的数据是
可用来在这种模式下,系统中。如果地址发生变化时,自动睡眠模式被禁止,新
数据是在标准访问时间返回。
灵活的部门架构
底部引导扇区架构( AS29LV800B )
扇形
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
×8
00000h–03FFFh
04000h–05FFFh
06000h–07FFFh
08000h–0FFFFh
10000h–1FFFFh
20000h–2FFFFh
30000h–3FFFFh
40000h–4FFFFh
50000h–5FFFFh
60000h–6FFFFh
70000h–7FFFFh
80000h–8FFFFh
90000h–9FFFFh
A0000h–AFFFFh
B0000h–BFFFFh
C0000h–CFFFFh
D0000h–DFFFFh
E0000h–EFFFFh
F0000h–FFFFFh
×16
00000h–01FFFh
02000h–02FFFh
03000h–03FFFh
04000h–07FFFh
08000h–0FFFFh
10000h–17FFFh
18000h–1FFFFh
20000h–27FFFh
28000h–2FFFFh
30000h–37FFFh
38000h–3FFFFh
40000h–47FFFh
48000h–4FFFFh
50000h–57FFFh
58000h–5FFFFh
60000h–67FFFh
68000h–6FFFFh
70000h–77FFFh
78000h–7FFFFh
SIZE
(千字节)
16
8
8
32
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
热门引导扇区架构( AS29LV800T )
×8
00000h–0FFFFh
10000h–1FFFFh
20000h–2FFFFh
30000h–3FFFFh
40000h–4FFFFh
50000h–5FFFFh
60000h–6FFFFh
70000h–7FFFFh
80000h–8FFFFh
90000h–9FFFFh
A0000h–AFFFFh
B0000h–BFFFFh
C0000h–CFFFFh
D0000h–DFFFFh
E0000h–EFFFFh
F0000h–F7FFFh
F8000h–F9FFFh
FA000h–FBFFFh
FC000h–FFFFFh
×16
00000h–07FFFh
08000h–0FFFFh
10000h–17FFFh
18000h–1FFFFh
20000h–27FFFh
28000h–2FFFFh
30000h–37FFFh
38000h–3FFFFh
40000h–47FFFh
48000h–4FFFFh
50000h–57FFFh
58000h–5FFFFh
60000h–67FFFh
68000h–6FFFFh
70000h–77FFFh
78000h–7BFFFh
7C000h–7CFFFh
7D000h–7DFFFh
7E000h–7FFFFh
SIZE
(千字节)
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
32
8
8
16
在文字模式下,有一8K字,双字4K , 1 16K字,十五32K字扇区。地址范围为A18 -A - 1,如果字节= V
IL
;地址范围是
如果A18 - A0字节= V
IH
.
3/22/01; V.1.0
半导体联盟
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