AM12N65P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AM12N65P
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内容描述：	N沟道650 -V （D -S ）的MOSFET [N-Channel 650-V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 332 K
品牌：	ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]

模拟电源

典型电气特性

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

TJ = 25°C

ID - 漏电流（ A）

0.9

AM12N65P

0.8

5.5V

8V,10V

0.7

0.6

ID-漏电流（ A）

VGS - 栅极至源极电压（V ）

1.导通电阻与漏电流

TJ = 25°C

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

ID = 2A

IS - 源电流（ A）

100

2.传输特性

TJ = 25°C

0.1

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

VGS - 栅极至源极电压（V ）

VSD - 源极到漏极电压（V ）

3.导通电阻与栅极至源极电压

10V,8V,6V

ID - 漏电流（ A）

5.5V

电容（pF）

4500

4000

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

VDS - 漏极至源极电压（V ）

4.漏 - 源正向电压

F = 1MHz的

西塞

科斯

CRSS

VDS漏 - 源极电压（ V）

5.输出特性

初步=

6.电容

出版订单号：

DS_AM12N65P_1A

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