AM12N65P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AM12N65P
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内容描述：	N沟道650 -V （D -S ）的MOSFET [N-Channel 650-V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 332 K
品牌：	ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]

模拟电源

典型电气特性

VGS栅 - 源极电压（ V）

VDS = 100V

ID = 2A

2.5

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

（归一化）

AM12N65P

1.5

QG - 总栅极电荷（ NC）

0.5

-50

-25

100

125

150

TJ -JunctionTemperature （ ° C）

7.栅极电荷

100

瞬态峰值功率（ W）

10我们

8.归一化导通电阻VS

结温

700

600

500

400

300

200

100

0.001

ID电流（A ）

100美

1毫秒

10毫秒

100毫秒

1秒

10秒

100秒

0.1

100

1000

10000

IDM限制

受

RDS

0.01

VDS漏极至源极电压（ V）

0.01

0.1

100

1000

T1时间（秒）

9.安全工作区

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

10.单脉冲最大功率耗散

θJA

（吨） = R（T） + R

θJA

= 62.5

°C

P（ PK）

单脉冲

- T

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.01

0.1

T1时间（秒）

100

1000

0.001

0.0001

0.001

11.归热瞬态结到环境

初步=

出版订单号：

DS_AM12N65P_1A

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