APM3009NGC-TR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM3009NGC-TR
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 718 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM3009N

Typical Characteristics Cont.

Capacitance Characteristics

3000

2000

Source-Drain Diode Forward Voltage

100

Ciss

-Source Current (A)

C-Capacitance (pF)

1000

Coss

500

=125°C

=25°C

=-55°C

Crss

Frequency=1MHz

100

0.1

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

-Drain-to-Source Voltage (V)

-Source to Drain Voltage (V)

Single Pulse Power

TO-252

Single Pulse Power

TO-263

3000

2500

Power (W)

2000

1500

1000

500

-5

-4

-3

-2

-1

-5

-4

-3

-2

-1

Time (sec)



ANPEC Electronics Corp.

Rev. A.3 - May., 2002

www.anpec.com.tw

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