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APM2054NV 参数 Datasheet PDF下载

APM2054NV图片预览
型号: APM2054NV
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 206 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2054NV
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θ
JA
*
注意:
*表面安装在1英寸
垫区域,叔
10sec.
2
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
功率消耗单操作
热阻,结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=10V
等级
20
±16
5
20
3
150
-55到150
1.47
0.58
85
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD一
a
参数
测试条件
APM2054NV
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时,我
DS
=250µA
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250µA
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=5A
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=3.5A
V
GS
= 2.5V ,我
DS
=2.5A
I
SD
= 3A ,V
GS
=0V
20
1
30
0.6
0.9
35
45
110
0.85
1.5
±100
40
54
130
1.3
V
µA
V
nA
mΩ
二极管的正向电压
V
栅极电荷特性
b
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=6A
11
3.8
5.2
13
nC
版权
©
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月, 2005年
2
www.anpec.com.tw