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APM2054NV 参数 Datasheet PDF下载

APM2054NV图片预览
型号: APM2054NV
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 206 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2054NV
典型特征
功耗
1.6
1.4
1.2
漏电流
6
5
I
D
- 漏电流( A)
P
合计
- 功率(W )
4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
3
2
1
T
A
= 25℃ ,V
G
=10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
0
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
I
D
- 漏电流( A)
10
it
im
)L
(上
ds
R
0.2
0.1
300
µ
s
1ms
0.1
0.02
0.01
0.05
1
10ms
100ms
1s
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
85 C / W
2
0.1
DC
0.01
0.1
T
A
=25 C
1
10
60
o
1E-3
1E-4 1E-3 0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
版权
©
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月, 2005年
4
www.anpec.com.tw