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APM3023NV 参数 Datasheet PDF下载

APM3023NV图片预览
型号: APM3023NV
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 127 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM3023NV
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意:
*表面安装在1英寸
垫区域,叔
10sec.
2
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
功率消耗单操作
热阻,结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=10V
等级
30
±20
7
28
1.5
150
-55到150
1.47
0.58
85
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM3023NV
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时,我
DS
=250µA
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250µA
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=7A
V
GS
= 5V ,我
DS
=5A
I
SD
= 1.5A ,V
GS
=0V
30
1
30
1
1.5
15
22
0.8
2
±100
20
28
1.3
V
µA
V
nA
mΩ
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
30
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=7A
5.8
3.8
39
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
2
www.anpec.com.tw