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APM3023NV 参数 Datasheet PDF下载

APM3023NV图片预览
型号: APM3023NV
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 127 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM3023NV
电气特性(续)
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM3023NV
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
注意事项:
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
Frequency=1.0MHz
2.5
830
145
15
11
18
26
54
30
17
37
20
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15V ,R
L
=15Ω,
I
DS
= 1A ,V
=10V,
R
G
=6Ω
ns
一:脉冲测试;脉冲width≤300
µ
S,值班cycle≤2 % 。
B:由设计保证,不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
3
www.anpec.com.tw