APM3023NV 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM3023NV
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 127 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM3023NV

典型特征

功耗

1.6

1.4

1.2

漏电流

合计

- 功率（W ）

- 漏电流（ A）

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

=25 C

80 100 120 140 160

= 25℃ ，V

=10V

100 120 140 160

- 结温（ ° C）

- 结温

安全工作区

归一化瞬态热阻

瞬态热阻抗

占空比= 0.5

0.2

0.1

- 漏电流（ A）

300us

1ms

0.1

0.02

0.01

0.05

10ms

100ms

0.1

0.01

单脉冲

=25 C

0.01

0.1

100

1E-3

1E-4 1E-3 0.01

安装在1英寸垫

85 C / W

0.1

100

- 漏极 - 源极电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

版权



茂达电子股份有限公司

牧师B.1 - 三月， 2005年

www.anpec.com.tw

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