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APM3054N 参数 Datasheet PDF下载

APM3054N图片预览
型号: APM3054N
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 215 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM3054N
绝对最大额定值(续)
符号
I
SM
参数
二极管的最大脉冲电流
TO-252
T
A
=25°C
P
D
最大功率耗散
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
最高结温
存储温度范围
SOT-223
TO-252
SOT-223
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
32
62.5
W
3
25
W
1.2
150
-55到150
°C
°C
单位
A
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM3054N
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
V
GS
= 0V时,我
DS
=250µA
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250µA
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=12A
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=6A
I
SD
= 8A ,V
GS
=0V
30
1
1
3
±100
48
75
0.6
54
90
1.3
V
µA
V
nA
mΩ
V
9
V
DS
=15V, V
GS
=5V,
I
DS
=10A
5.4
2.4
11
V
DD
=15V,I
D
=2A,
V
GS
= 10V ,R
G
=6Ω
17
37
20
V
GS
=0V
V
DS
=25V
Frequency=1.0MHz
400
75
45
www.anpec.com.tw
nC
ns
pF
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 八月, 2002年
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