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APM3054N 参数 Datasheet PDF下载

APM3054N图片预览
型号: APM3054N
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 215 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM3054N
典型特征
导通电阻与栅极至源极电压
0.35
I
D
=6A
导通电阻与结温
0.10
V
GS
=10V
R
DS
(上) -On -电阻(Ω)
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
R
DS
(上) -On -电阻(Ω)
(归一化)
0.09
I
D
=12A
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
T
J
- 结温( ° C)
导通电阻与结温
0.10
栅极电荷
10
V
DS
=15V
I
DS
=10A
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
-Gate - 源极电压( V)
R
DS
(上) -On -电阻(Ω)
V
GS
=10V
0.09
I
DS
=12A
8
6
4
2
0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
T
J
- 结温( ° C)
Q
G
- 栅极电荷( NC)
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 八月, 2002年
4
www.anpec.com.tw