APM3054N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM3054N
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 215 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM3054N

典型特征

归瞬态热阻抗，结到环境

TO-252

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

D=0.2

D=0.1

D=0.05

0.1

D=0.02

D=0.01

单脉冲

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

=50°C/W

3.T

-T

thJA

0.01

1E-4

1E-3

0.01

0.1

100

1000

方波脉冲持续时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

D= 0.2

SOT-223

0.1

D= 0.1

D= 0.05

D= 0.02

0.01

D= 0.01

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

=42°C/W

3.T

-T

thJA

单脉冲

1E-3

1E-4

1E-3

0.01

0.1

100

1000

方波脉冲持续时间（秒）

版权



茂达电子股份有限公司

A.2牧师 - 八月， 2002年

www.anpec.com.tw

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