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APM4410 参数 Datasheet PDF下载

APM4410图片预览
型号: APM4410
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 516 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4410
典型特征连拍。
导通电阻与栅极至源极电压
0.10
I
DS
=11.5A
上Resistaence与结温
2.00
V
GS
=10V
I
DS
=11.5A
R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
0.08
R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
(归一化)
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.06
0.04
0.02
0.00
0
2
4
6
8
10
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
栅极电压( V)
T
j
-Junction温度(℃ )
栅极电荷
10
3000
V
DS
=15V
I
DS
=11.5A
电容特性
V
GS
-Gate至源极电压( V)
C-电容(pF )
8
2500
西塞
2000
1500
1000
500
0
科斯
CRSS
6
4
2
0
0
9
18
27
36
45
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
- 总栅极电荷( NC)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
版权
茂达电子股份有限公司
A.5牧师 - 2002年7月
4
www.anpec.com.tw