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    THN6501E 参数 Datasheet PDF下载

    THN6501E图片预览
    型号： THN6501E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅锗NPN晶体管 [SiGe NPN Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 15 页 / 231 K
    品牌： AUK [ AUK CORP ]
     浏览型号THN6501E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号THN6501E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号THN6501E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号THN6501E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号THN6501E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号THN6501E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号THN6501E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号THN6501E的Datasheet PDF文件第9页  
    THN6501系列
    □
    电气特性
    ( T
    A
    = 25
    ℃
    )
    价值
    符号
    I
    CBO
    集电极截止电流
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    C
    CB
    |S
    21
    |
    2
    参数
    测试条件
    V
    CB
    = 19 V，I
    E
    = 0毫安
    V
    CE
    = 12 V，I
    B
    = 0毫安
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    0.5
    5
    0.5
    单位
    uA
    uA
    uA
    发射极截止电流
    直流电流增益
    跃迁频率
    集电极基极电容
    插入功率增益
    V
    EB
    = 1 V，I
    C
    = 0毫安
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 15毫安
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 30毫安
    V
    CB
    = 10 V ， F = 1兆赫
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 7 mA时， F = 1 GHz的
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 15 mA时， F = 1 GHz的
    8
    9
    12.5
    13
    80
    8
    150
    9
    0.85
    9.5
    300
    GHz的
    pF
    dB
    11
    14.5
    dB
    15
    1.0
    0.049
    dB
    Ω
    dB
    MAG
    最大可用增益
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 7 mA时， F = 1 GHz的
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 15 mA时， F = 1 GHz的
    NFmin最小噪声系数
    rn
    G
    A
    OIP
    3
    抗噪声能力
    相关的增益
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 7 mA时， F = 1 GHz的
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 7 mA时， F = 1 GHz的
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 7 mA时， F = 1 GHz的
    V
    CE
    = 3 V，I
    C
    = 15 mA时， F = 1 GHz的
    10
    10
    12
    12.5
    27
    DBM
    输出3阶截取
    V
    CE
    = 6 V，I
    C
    = 15 mA时， F = 1 GHz的
    2

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