THN6501E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN6501E
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内容描述：	硅锗NPN晶体管 [SiGe NPN Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	15 页 / 231 K
品牌：	AUK [ AUK CORP ]

THN6501系列

输出3阶截取点， OIP

与我

= Z

= 50

Ω)

1.6

与V

F = 1 GHz的

= 6 V

F = 1 MHz的

1.2

OIP

[ dBm的]

= 3 V

[ pF的]

= 2 V

0.8

0.4

[马]

[V]

NF与我

= 3 V，I

=参数，Z

= Z

SOPT

噪声系数轮廓&恒定增益

F = 1千兆赫，V

= 3 V，I

= 7毫安

F = 1 GHz的

1.8

1.6

INPUT稳定

产量

NF （分贝）

1.4

1.2

0.8

0.6

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55

选择

=0.445∠155

NF=1.0dB

=1.1dB

=1.2dB

=1.3dB

4轮廓

=15dB

=14dB

=13dB

=12dB

=11dB

5轮廓

[马]

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