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THN6501E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: THN6501E
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内容描述: 硅锗NPN晶体管 [SiGe NPN Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 15 页 / 231 K
品牌: AUK [ AUK CORP ]
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THN6501系列
总功率耗散,P
T
与T
A
I
C
与V
CE
250
80
70
200
60
I
B
= 500
I
B
= 400
I
B
= 300
P
T
[毫瓦]
I
C
[马]
150
50
40
30
20
100
I
B
= 200
I
B
= 100
0
2
4
6
8
10
50
10
0
0
25
50
75
100
125
150
0
环境温度,T
A
[℃]
V
CE
[V]
I
C
与V
BE
120
300
h
FE
与我
C
V
CE
= 6 V
100
250
V
CE
= 3 V
80
200
I
C
[马]
60
h
FE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
150
40
100
20
50
0
0
0.1
1
10
100
V
BE
[V]
I
C
[马]
3