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AS5C4009ECJ-55L/883C 参数 Datasheet PDF下载

AS5C4009ECJ-55L/883C图片预览
型号: AS5C4009ECJ-55L/883C
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内容描述: 512K ×8 SRAM超低功耗SRAM [512K x 8 SRAM Ultra Low Power SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 103 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss ...................- 。 5V至+ 7.0V的电压
任何引脚相对于Vss ..........................- 。 5V至+ 7.0V的电压
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
工作温度范围.............................- 55
o
C至+ 125
o
C
焊接温度范围............................................... 260
o
C
最高结温** .................................... + 150°C
功耗................................................ ................... 1.0W
AS5C4009
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型,循环
时间,装载,环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
Ç <牛逼
A
& LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 % )
参数/条件
输入漏电流(V
IN
= V
SS
到V
CC
)
输出漏电流
( CE \\ = V
IH
或OE \\ = V
IH
或WE \\ = V
IL
, V
IO
=V
SS
到V
CC
)
输出低电压(I
OL
= 2.1毫安)
输出高电压(I
OH
= -1.0毫安)
电源电压
输入高电平(逻辑1 )电压
输入低电平(逻辑0 )电压
符号
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
V
CC
V
IH
V
IL
-5
-5
--
2.4
4.5
2.2
-0.5
最大
5
5
0.4
--
5.5
VCC +0.5
0.8
单位
µΑ
µΑ
V
V
V
V
V
15
15
15
1, 15
2, 15
笔记
参数
电源电流:
操作
条件
周期时间=最小, 100 %
占空比,我
IO
= 0毫安,
CE \\ = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
IL
TTL
CE \\ = V
IH
,
其它输入= V
IL
或V
IH
CE \\ = VCC -0.2V ,
其他输入= 0 〜 Vcc的
符号
I
cc1
-55
100
最大
-70
-85
90
80
-100单位备注
70
mA
3
I
SB
6
6
6
6
mA
电源电流:
待机
CMOS
I
SB1
0.75
0.75
0.75
0.75
mA
AS5C4009
5.1修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
3