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AS5C4009ECJ-55L/883C 参数 Datasheet PDF下载

AS5C4009ECJ-55L/883C图片预览
型号: AS5C4009ECJ-55L/883C
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内容描述: 512K ×8 SRAM超低功耗SRAM [512K x 8 SRAM Ultra Low Power SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 103 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
电容
参数
输入电容
输入/输出Capactiance
条件
o
T
A
= 25°C , F = 1MHz的
V
CC
= 5V
AS5C4009
符号
V
IN
=0V
V
IO
=0V
C
IN
C
IO
最大
8
10
单位
pF
pF
笔记
4
4
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
Ç <牛逼
A
& LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 % )
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出启用访问时间
输出使能,以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP1
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
-55
最小最大
55
55
55
10
10
20
0
55
30
5
20
55
50
50
0
0
50
30
0
5
25
-70
最小最大
70
70
70
10
10
25
0
70
35
5
25
70
60
60
0
0
60
30
0
5
25
-85
最小最大
85
85
85
10
10
30
0
85
40
5
30
85
70
70
0
0
70
35
0
5
30
-100
最小值最大值单位备注
100
100
100
10
10
30
0
100
45
5
30
100
80
80
0
0
80
40
0
5
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,6
4,6
4,6
4,6
4,6
4,6
4
4
AS5C4009
5.1修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
4