SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C4009
AC测试条件
输入脉冲电平................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间.......................................为3ns
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载.........................................见图1
Q
50
167欧姆
欧
1.73V
C
C=30pF
= 100pF的
图。 1输出负载等效
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
过冲： VCC + 3.0V的脉冲宽度<为20ms 。
冲： -3V脉冲宽度<为20ms 。
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于
t
LZCE
和
t
HZWE
小于
t
LZWE
.
WE \\为高读周期。
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
10.
t
RC =读周期时间。
11.芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
12.输出使能（ OE \\ ）是无效（高） 。
13.输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
14. ASI不保证功能的可靠性，也
任何产品，其中所述结点温度
超过150℃ 。应注意，限制权力
可接受的水平。
15.参考与Vss （GND）的全部电压。
7.
8.
9.
数据保存电气特性
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 3V
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
5
200
条件
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
CC
= 2V
符号
V
DR
I
CCDR
民
2
最大
100
单位
V
µA
µA
ns
ms
4
4, 10
笔记
AS5C4009
5.1修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
