奥斯汀半导体公司
超前信息
奥斯汀半导体公司
512K ×32模块的nvSRAM
5.0V
高速SRAM与
非易失性存储器
特点
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-55
o
C至125
o
C温度范围
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真正的非易失性SRAM (无电池)
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20纳秒, 25纳秒,和45 ns访问时间
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自动STORE在断电时,只有很小
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电容
商店到QuantumTrap
®
发起的非易失性元素
软件,器件引脚或自动存储
®
在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读,写和召回周期
200000 STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单5.0V
± 10 %电源
陶瓷密封68四Flatpak
- 可为了与X7R CAPS软件包
- 匹配的SRAM & EEPROM的引脚兼容的足迹
模块
AS8nvC512K32
NVSRAM
作为军事
特定网络阳离子
•用于军事领域( MIL -STD- 883C第1.2.2 )
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温度范围: -55℃ 〜125℃
功能说明
奥斯汀半导体AS8nvC512K32是一个快速静态RAM ,
与在每个存储单元的非易失性元件。内存
组织为512K字节的8位的每4模具,以形成512Kx32 。
嵌入式非易失性元素纳入QuantumTrap
技术,生产世界上最可靠的非易失性存储器。
该SRAM提供了无限的读写周期,而独立
非易失性数据驻留在高度可靠的QuantumTrap细胞。
从SRAM中的数据传输到非易失性元件(在
STORE操作)自动发生的断电。上
电时,数据被恢复到SRAM (该RECALL操作)
从非易失性存储器中。无论是存储和调用
操作也是在软件控制下可用。
逻辑框图
m
[1, 2, 3]
4x
4x
DQ0-DQ31
(1-4)
28
29
30
31
(1-4)
AS8nvC512K32
修订版0.0 08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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