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MT5C2568ECW-20/883C 参数 Datasheet PDF下载

MT5C2568ECW-20/883C图片预览
型号: MT5C2568ECW-20/883C
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内容描述: 32K ×8 SRAM SRAM存储器阵列 [32K x 8 SRAM SRAM MEMORY ARRAY]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 141 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
对任何输入或DQ相对电压
到Vss ................................................ ..................- 0.5V到Vcc + 0.5V
在VCC电源相对于Vss .......................- 1V至+ 7V电压
储存温度..............................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ....................... 1W
短路输出电流.............................................. ... 50毫安
引线温度(焊接10秒) ........................ + 260
o
C
马克斯。结温................................................ 。 + 175
o
C
MT5C2568
AS5C2568
SRAM
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
Ç <牛逼
C
& LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
输入高电平(逻辑1 )电压
输入低电平(逻辑0 )电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
0V<V
IN
& LT ; V
CC
输出(S )禁用
0V<V
OUT
& LT ; V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
条件
CE \\ <V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 / RC (MIN)
输出开路
TTL
电源
电流:待机
CMOS
CE \\ <V
IH
;输出开路
VCC =最大
CE \\ >Vcc - 0.2V ; VCC = MAX
V
IN
< + 0.2V或>Vcc - 0.2V ;
F = 0赫兹,输出打开
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
t
条件
符号最小值
最大值单位备注
V
1
V
IH
2.2 V
CC
+0.5
V
IL
IL
I
国际劳工组织
V
OH
V
OL
-12
-15
最大
-20 -25
-0.5
-10
-10
2.4
0.8
10
10
V
µA
µA
V
1,2
1
1
0.4
V
描述
电源
当前位置:工作
符号
ICC
-35
-45单位备注
mA
3
190 180 170 160 150 150
I
SBT
60
50
40
35
35
35
mA
I
SBC
I
SBC2
20
4
20
4
20
4
20
4
20
4
20
4
mA
mA
电容
参数
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25°C , F = 1MHz的
VCC = 5V
o
符号
C
IN
C
IO
最大
11
11
单位
pF
pF
笔记
4
4
MT5C2568 / AS5C2568
4.5修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
3