欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MT5C2568ECW-20/883C 参数 Datasheet PDF下载

MT5C2568ECW-20/883C图片预览
型号: MT5C2568ECW-20/883C
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 32K ×8 SRAM SRAM存储器阵列 [32K x 8 SRAM SRAM MEMORY ARRAY]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 141 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MT5C2568ECW-20/883C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MT5C2568ECW-20/883C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MT5C2568ECW-20/883C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MT5C2568ECW-20/883C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MT5C2568ECW-20/883C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MT5C2568ECW-20/883C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MT5C2568ECW-20/883C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MT5C2568ECW-20/883C的Datasheet PDF文件第9页  
奥斯汀半导体公司
MT5C2568
AS5C2568
SRAM
电气特性和推荐AC工作条件
(注5 ) ( -55
o
Ç <牛逼
C
& LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出使能访问时间
输出使能,以在低Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
0
7
12
10
10
0
2
10
8
0
0
7
15
12
12
0
0
12
10
0
0
10
2
2
7
6
0
10
20
15
15
0
0
15
10
0
0
10
-12
-15
-20
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
12
3
3
10
8
0
10
25
20
20
0
0
20
15
0
3
15
15
15
15
3
3
10
10
0
15
35
30
30
0
0
30
20
0
3
35
20
20
20
3
3
15
15
2
35
45
40
40
0
0
40
20
3
3
20
-25
最小最大
25
25
25
3
3
35
20
0
20
-35
最小最大
35
35
35
3
3
20
20
-45
最小最大
45
45
45
单位备注
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
6
7
6, 7
输出禁止到输出的高阻吨
HZOE
写周期
写周期时间
t
WC
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
MT5C2568 / AS5C2568
4.5修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
4