奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... VSS至3V
输入上升和下降时间............................................. ........为5ns
输入定时基准水平............................................. 1.5 V
输出参考电平............................................... 1.5V .......
输出负载................................................ 。看到图1 & 2
+5V
480
Q
255
30 pF的
Q
255
MT5C2568
AS5C2568
+5V
480
5 pF的
SRAM
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。该
指定的值适用与卸载的输出，
f=
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载为规定
在如图3所示。 1 ，除非另有说明。
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE与CL = 5pF的规定
如在图2.过渡的测量± 500mV的从典型
稳态电压，允许实际测试仪RC时间
常数。
7.
图。 1
输出负载
当量
图。 2
输出负载
当量
4.
5.
6.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
CE \\ > （V
CC
-0.2V)
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
IN
> （V
CC
-0.2V)
或< 0.2V
I
CCDR
1
mA
条件
符号
V
DR
民
2
最大
单位
V
笔记
t
CDR
t
R
0
t
RC
--
ns
ns
4
4, 11
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
数据保持方式
4.5V
CDR
V
DR
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
MT5C2568 / AS5C2568
4.5修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
432
4321
4321
1
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
4325
3215
876
43214321
32114321
876
42114321
32114321
876
4325
3325
876
87654321
321
21
87654321
321
21
87654321
321
21
87654321
不在乎
未定义
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
