四电容
肖特基二极管四边形电容测量使用
一个HP4271 LCR测量仪。该仪器有效地隔离
从更为个人二极管分支，使AC-
每个分支或每个牧师电容测量
二极管。的条件是： 20毫伏均方根电压在1 MHz 。
Avago的定义这种测量称为“ CM” ，并且它是等价
由本身借给二极管的电容。在等价
然后借给对角线相邻卡帕奇，可用距离可以校准 -
通过下面给出的公式culated 。
在一个四边形，对角线电容是电容BE-
调整点A和B ，如图下图所示。该
对角线电容是用下面的计算
公式
C
3
乘C
4
C
1
乘C
2
C
对角线
= _______ + _______
C
1
+ C
2
C
3
+ C
4
相当于乘C
2
C
1
adjacentCcapacitance是电容
3
xC
4
C
对角线
= _______ + _______
低于1的数字。这种电容
+点之间____________
A和C的
C
邻
= C
1
+ C
C
1
C
3
+ C
4
2
距离受到使用下面的公式计算
1 1
1
–– + –– + ––
1
C
2
C
3
C
C
邻
= C
1
+ ____________
4
1 1
1
–– + ––
8.33 X 10
-5
nT
+ ––
R
j
=
I +
C
2
C
3
C
4
I
b
s
线性等效电路模型二极管芯片
R
j
R
S
C
j
R
S
=串联电阻（见表的SPICE参数）
C
j
=结电容（见表的SPICE参数）
R
j
=
8.33 X 10
-5
nT
I
b
+ I
s
哪里
I
b
=外部施加的偏置电流以安培
I
s
=饱和电流（见表格的SPICE参数）
T =温度，
°K
N =理想因子（见表的SPICE参数）
注意：
有效地模拟包装HSMS- 282X产品
请参考应用笔记AN1124 。
ESD警告：
操作应采取预防措施，防止静电放电。
该信息不
-5
nT
适用于跨接四二
8.33 X 10
不
R
j
=
颂歌。
I
b
+ I
s
C
1
C
C
2
C
4
B
C
3
A
SPICE参数
参数
B
V
C
J0
E
G
I
BV
I
S
N
R
S
P
B
P
T
M
Ω
V
单位
V
pF
eV
A
A
HSMS-282x
15
0.7
0.69
1E‑4
2.2E‑8
1.08
6.0
0.65
2
0.5
3
AVAGO [ AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED ]
