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    BS62LV4007TC-70 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV4007TC-70图片预览
    型号： BS62LV4007TC-70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 374 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV4007TC-70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS62LV4007TC-70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV4007TC-70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV4007TC-70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV4007TC-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV4007TC-70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV4007TC-70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV4007TC-70的Datasheet PDF文件第9页  
    BSI
    READ CYCLE2
    (1,3,4)
    BS62LV4007
    CE
    t
    t
    D
    OUT
    (5)
    CLZ
    ACS
    t
    CHZ
    (5)
    READ CYCLE3
    (1,4)
    t
    RC
    ADDRESS
    t
    OE
    AA
    t
    CE
    t
    OH
    OE
    t
    t
    ACS
    t
    (5)
    CLZ
    OLZ
    t
    OHZ
    (5)
    (1,5)
    t
    CHZ
    D
    OUT
    NOTES:
    1. WE is high in read Cycle.
    2. Device is continuously selected when CE = V
    IL
    .
    3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.
    4. OE = V
    IL
    .
    5. The parameter is guaranteed but not 100% tested.
    R0201-BS62LV4007
    5
    Revision 1.1
    Jan.
    2004

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