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BS616LV1010ECP70 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1010ECP70图片预览
型号: BS616LV1010ECP70
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 208 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS616LV2016
n
引脚说明
名字
A0 - A16地址输入
CE芯片使能输入
功能
这17个地址输入端选择131,072中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时,数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活,该装置的选择取消,并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态,当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择,当WE为高电平和OE为低电平时,输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平,在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态,该芯片是
选择并允许写入的是不活动的,数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态,当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
n
真值表
模式
芯片取消选择
(断电)
CE
H
X
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
L
H
L
H
L
L
L
L
X
H
L
注: H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心(必须是V
IH
或V
IL
状态)
R0201-BS616LV2016
2
修订版1.4
十一月
2006