欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BS616LV1010ECP70 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1010ECP70图片预览
型号: BS616LV1010ECP70
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 208 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BS616LV1010ECP70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS616LV1010ECP70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV1010ECP70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV1010ECP70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV1010ECP70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV1010ECP70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV1010ECP70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV1010ECP70的Datasheet PDF文件第9页  
BS616LV2016
n
AC电气特性(T
A
= -40°C至+ 85°C )
读周期
JEDEC
PARANETER
参数
名字
名字
周期时间: 55ns
(V
CC
=3.0~5.5V)
分钟。典型值。马克斯。
55
--
( CE)
( LB , UB )
--
--
--
( CE)
( LB , UB )
10
10
5
( CE)
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
55
30
--
--
--
30
30
25
--
周期:为70ns
(V
CC
=2.7~5.5V)
分钟。典型值。马克斯。
70
--
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
70
35
--
--
--
35
35
30
--
O
O
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出低Z
芯片选择到输出高Z
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQX
t
ELQV
t
BLQV
t
GLQV
t
ELQX
t
BLQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
BHQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
数据字节控制到输出高Z( LB , UB )
输出使能到输出高Z
从地址变化数据保持
n
开关波形(读周期)
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
R0201-BS616LV2016
5
修订版1.4
十一月
2006