BSI
DC电气特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(4)
BS62LV8001
测试条件
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
待机电流CMOS
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
-0.5
2.0
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
1.5
8.0
0.8
0.8
Vcc+0.3
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
25
61
1
2
10
110
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH ，
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(2)
70ns
70ns
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
CE1 = V
IH
或CE2 = V
白细胞介素，
I
DQ
= 0毫安
CE1 ≧ VCC- 0.2V或CE2 ≦ 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4.电流Icc
=最大。
是31毫安在55ns操作（ @ 3.0V ） / 76毫安（ @ 5.0V ） 。
5.I
CCS
B1
是5UA / 55uA在Vcc = 3.0V / 5.0V和T
A
=70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40〜+ 85
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE1 ≧为VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE1 ≧为VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
0.8
--
--
2.5
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
（最大值）为1.3uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
≧
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
≦
0.2V
CE2
V
IL
V
IL
R0201-BS62LV8001
3
修订版2.1
一月
2004
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
