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BS62LV8001EI-55 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV8001EI-55图片预览
型号: BS62LV8001EI-55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 8 bit]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 266 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
AC电气特性
( TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
写周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写在高Z输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出禁止到输出中高Z
写结束到输出有效
( CE2 , CE1 , WE)
周期:为70ns
(Vcc=2.7~5.5V)
BS62LV8001
周期时间: 55ns
(Vcc=3.0~5.5V)
MIN 。 TYP 。
马克斯。
MIN 。 TYP 。
马克斯。
单位
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
WLOZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHOZ
t
WHQX
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
70
70
0
70
35
0
--
30
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
55
55
0
55
30
0
--
25
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
25
--
--
25
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关波形(写周期)
写CYCLE1
(1)
地址
t
WC
t
WR
OE
(3)
CE2
(5)
t
CW
CE1
(5)
(11)
t
AW
WE
(3)
t
AS
(4,10)
t
WP
(2)
t
OHZ
D
OUT
t
DH
t
DW
D
IN
R0201-BS62LV8001
6
修订版2.1
一月
2004