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    BS62LV8001EI-55 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV8001EI-55图片预览
    型号： BS62LV8001EI-55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 8 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 266 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV8001EI-55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS62LV8001EI-55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV8001EI-55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV8001EI-55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV8001EI-55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV8001EI-55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV8001EI-55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV8001EI-55的Datasheet PDF文件第9页  
    BSI
    开关波形（读周期
    )
    读CYCLE1
    (1,2,4)
    BS62LV8001
    t
    RC
    地址
    t
    D
    OUT
    t
    OH
    AA
    t
    OH
    READ循环2
    (1,3,4)
    CE2
    t
    t
    ACS2
    ACS1
    CE1
    t
    D
    OUT
    (5)
    CLZ
    t
    (5)
    CHZ
    读CYCLE3
    (1,4)
    地址
    t
    RC
    t
    OE
    AA
    t
    CE2
    OE
    t
    OH
    t
    t
    t
    t
    (5)
    CLZ
    ACS2
    CE1
    OLZ
    ACS1
    t
    t
    OHZ
    CHZ
    (5)
    (1,5)
    D
    OUT
    注意事项：
    1.我们是高读周期。
    2.设备不断选择当CE1 = V
    IL
    和CE2 = V
    IH
    .
    3.地址有效之前或重合CE1过渡低， CE2过渡高。
    4. OE = V
    IL
    .
    5.参数是保证，但不是100 ％测试。
    R0201-BS62LV8001
    5
    修订版2.1
    一月
    2004

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