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BS62UV2006SI-85 参数 Datasheet PDF下载

BS62UV2006SI-85图片预览
型号: BS62UV2006SI-85
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内容描述: 超低功率/电压CMOS SRAM 256K ×8位 [Ultra Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 321 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
AC测试条件
(测试负载和输入/输出参考)
BS62UV2006
关键开关波形
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意:
任何改变
许可
申请
输出
必须是
稳定
变化
从H到L
变化
以L至H
变化:
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
C
L
= 30pF的+ 1TTL
,
AC电气特性
( TA = -40
o
C至+ 85
o
C)
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
片选到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
芯片取消在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
周期时间: 100ns的
( VCC = 1.9 〜 3.6V )
周期时间: 85ns
( VCC = 1.9 〜 3.6V )
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。典型值。马克斯。
t
AVAX
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2HOV
t
GLQV
t
E1LQX
t
E2HOX
t
GLQX
t
E1HQZ
t
E2HQZ
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OHZ
t
OH
100
--
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
--
--
--
15
15
15
--
--
--
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
100
45
--
--
--
40
40
35
--
85
--
--
--
--
15
15
10
--
--
--
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
85
85
85
40
--
--
--
35
35
30
--
R0201-BS62UV2006
4
修订版1.1
一月
2004