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    BS62UV2006SI-85 参数 Datasheet PDF下载

    BS62UV2006SI-85图片预览
    型号： BS62UV2006SI-85
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功率/电压CMOS SRAM 256K ×8位 [Ultra Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 321 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62UV2006SI-85的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS62UV2006SI-85的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62UV2006SI-85的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62UV2006SI-85的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62UV2006SI-85的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62UV2006SI-85的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62UV2006SI-85的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62UV2006SI-85的Datasheet PDF文件第9页  
    BSI
    订购信息
    BS62UV2006
    BS62UV2006
    X X
    Z
    YY
    速度
    85 ： 85ns
    10 ： 100纳秒
    PKG材料
    - ：正常
    G：绿
    P：无铅
    GRADE
    C: +0
    o
    C ~ +70
    o
    C
    I: -40
    o
    C ~ +85
    o
    C
    包
    S： SOP
    T： TSOP （采用8mm x 20毫米）
    ST ：小TSOP （采用8mm x 13.4毫米）
    D： DICE
    注意：
    BSI （百联半导体公司）承担对本文所述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI并未授权其产品
    对于使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期会导致显著的伤害或死亡，其中包括生命支持的应用程序
    系统和关键医疗器械。
    包装尺寸
    STSOP - 32
    R0201-BS62UV2006
    8
    修订版1.1
    一月
    2004

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