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BS62UV2006SI-85 参数 Datasheet PDF下载

BS62UV2006SI-85图片预览
型号: BS62UV2006SI-85
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内容描述: 超低功率/电压CMOS SRAM 256K ×8位 [Ultra Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 321 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
AC电气特性
( TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
写周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写恢复时间
写在高Z输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出禁止到输出中高Z
写结束到输出有效
周期时间: 100ns的
( VCC = 1.9 〜 3.6V )
BS62UV2006
周期时间: 85ns
( VCC = 1.9 〜 3.6V )
分钟。典型值。马克斯。
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
E2LAX
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHOX
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR1
t
WR2
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
100
100
0
100
50
(CE1,WE)
(CE2)
0
0
--
40
0
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
40
--
--
40
--
85
85
0
85
40
0
0
--
35
0
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
35
--
--
35
--
开关波形(写周期)
写CYCLE1
(1)
地址
t
WC
t
OE
(3)
WR1
t
CW
CE1
(5)
(11)
CE2
(5)
t
CW
t
AW
(11)
t
WR2
(2)
(3)
WE
t
AS
(4,10)
t
WP
t
OHZ
D
OUT
t
DH
t
DW
D
IN
R0201-BS62UV2006
6
修订版1.1
一月
2004