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CAT28F001G-12BT 参数 Datasheet PDF下载

CAT28F001G-12BT图片预览
型号: CAT28F001G-12BT
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内容描述: 1兆位的CMOS引导块闪存 [1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 18 页 / 456 K
品牌: CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
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CAT28F001
直流工作特性
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有说明
范围
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
PPD
I
CC1
I
CC2(1)
I
CC3(1)
I
PPS
I
PP1
I
PP2(1)
I
PP3(1)
V
IL
V
OL
V
IH
V
OH
V
ID
I
ID
I
CCD
I
CCES
I
PPES
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
PP
深掉电电流
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
PP
待机电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
输入低电平
输出低电平
输入高电平
输出高电平
A
9
签名电压
A
9
当前签名
V
CC
深掉电电流
V
CC
擦除挂起电流
V
PP
擦除挂起电流
2.0
2.4
11.5
13.0
500
1.0
10
300
–0.5
分钟。
马克斯。
±1.0
±10
100
1.5
1.0
30
20
20
±10
200
200
30
30
0.8
0.45
V
CC
+0.5
单位
µA
µA
µA
mA
µA
mA
mA
mA
µA
µA
µA
mA
mA
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
µA
I
OH
= 2.5毫安,V
CC
= 4.5V
A
9
= V
ID
A
9
= V
ID
RP = GND ±0.2V
擦除暂停CE = V
IH
擦除暂停V
PP
=V
PPH
I
OL
= 5.8毫安,V
CC
= 4.5V
测试条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
V
CC
= 5.5V
V
OUT
= V
CC
或V
SS
,
V
CC
= 5.5V
CE = V
CC
±0.2V
= RP
V
CC
= 5.5V
CE = RP = V
IH
, V
CC
= 5.5V
RP = GND ±0.2V
V
CC
= 5.5V ,CE = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 8 MHz的
V
CC
= 5.5V,
编程中
V
CC
= 5.5V,
删除进展
V
PP
& LT ;
V
CC
V
PP
& GT ;
V
CC
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
,
编程中
V
PP
= V
PPH
,
删除进展
注意:
( 1 )此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
文档。 1078号,版本我
4