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CAT28F020N-12T 参数 Datasheet PDF下载

CAT28F020N-12T图片预览
型号: CAT28F020N-12T
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内容描述: 2兆位的CMOS闪存 [2 Megabit CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 15 页 / 431 K
品牌: CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
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CAT28F020
图5.芯片擦除算法
(1)
START擦写
公共汽车
操作命令
评论
适用VPPH
VPP斜坡VPPH
( VPP或硬连线)
所有的字节被
已编排00
擦除前
手术
INITIALIZE地址
程序中的所有
字节00H
待机
初始化
地址
初始化
PLSCNT = 0
PLSCNT =脉冲计数
WRITE ERASE
SETUP命令
抹去
真正的擦除
NEEDS 10ms的脉冲,
DATA=20H
数据= 20H
WRITE ERASE
命令
数据= 20H
抹去
数据= 20H
超时时间为10ms
等待
WRITE ERASE
校验命令
抹去
VERIFY
ADDRESS = BYTE要验证
DATA = 20H ;
A0H
STOPS擦除操作
TIME OUT 6微秒
增量
地址
读数据
从设备
NO
DATA =
FFH ?
是的
NO
LAST
地址?
是的
READ WRITE
命令
NO
INC PLSCNT
=1000 ?
= 3000 ?
是的
待机
等待
READ TO BYTE
VERIFY擦写
比较输出到FF
增量脉冲计数
数据= 00H
复位寄存器
为读操作
VPP斜坡VPPL
( VPP或硬连线)
适用VPPL
适用VPPL
待机
删除
已完成
抹去
错误
注意:
( 1 )算法必须遵守,以确保设备的正常可靠运行。
文档。 1029号,版本C
5108 FHD F10
10