CAT28F020N-12T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CAT28F020N-12T
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内容描述：	2兆位的CMOS闪存 [2 Megabit CMOS Flash Memory]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路
文件页数/大小：	15 页 / 431 K
品牌：	CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]

CAT28F020

写操作

下面的操作是通过观察发起

序列中的写命令表规定。

读取模式

该设备可以被放入一个标准的READ模式由

发起一个写周期以00H的数据总线上。该

随后的读周期，将执行类似

标准EPROM或E

PROM读取。

签名模式

对于读取装置的签名的另一种方法（见

读操作签名模式），通过写入启动

代码90H到命令寄存器，同时保持

高。从地址0000H读周期CE和

OE低（我们的高点）将输出设备签名。

催化剂码= 00110001 （ 31H ）

一个读周期，从地址0001H检索二进制

对输出设备代码I / O

到I / O

28F020代码= 1011 1101 （ BDH ）

擦除模式

在第一个写周期，命令20H写入

入命令寄存器。为了展开

擦除操作，20H的相同命令必须是

再次写入寄存器。这两个步骤的过程

确保了对内存的意外删除CON-

帐篷。最后擦除周期将停止在上升

边WE的，此时擦除校验命令

（ A0H ）发送给指令寄存器。在这个周期，

被发送到地址总线的地址，以进行验证和

当我们变低锁存。集成的停止计时器

允许通过此操作自动定时控制，

省去了一个最大擦除定时试样

fication 。请参见AC特性（编程/擦除）

对于特定的定时参数。

图4.交流时序擦除操作

VCC POWER- UP

＆放大器;待机

设置ERASE

命令

抹去

命令

删除

擦除验证

命令

抹去

VCC掉电/

验证

待机

地址

TWC

TAS

CE （ E）

TCS

总胆固醇

OE （ G）

tGHWL

TWPH

WE （W）的

TWP

TDS

高-Z

数据（I / O）

DATA IN

= 20H

TDH

TDS

TWP

TDH

TWP

TDS

TDH

DATA IN

= A0H

TLZ

TCE

5.0V VCC

VPP VPPH

VPPL

28F020 F11

TWC

TAH

TRC

总胆固醇

TCS

总胆固醇

TEHQZ

tWHWH2

tWHGL

TDF

TOE

TOLZ

TOH

DATA IN

= 20H

有效

数据输出

tVPEL

文档。 1029号，版本C

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