CAT28F020
交流特性，编程/擦除操作
V
CC
= +5V
±10%,
除非另有规定。 （见注6 ）
JEDEC
符号
t
AVAV
t
AVWL
t
WLAX
t
DVWH
t
WHDX
t
ELWL
t
WHEH
t
WLWH
t
WHWL
t
WHWH1(2)
t
WHWH2(2)
t
WHGL
t
GHWL
t
VPEL
标准
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
CS
t
CH
t
WP
t
WPH
-
-
-
-
-
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
WE
脉冲宽度
WE
高脉冲宽度
编程脉冲宽度
擦除脉冲宽度
写恢复时间之前，请先阅读
阅读恢复时间之前写
V
PP
建立时间
CE
民
90
0
40
40
10
0
0
40
20
10
9.5
6
0
100
28F020-90
典型值
最大
28F020-12
民
120
0
40
40
10
0
0
40
20
10
9.5
6
0
100
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
ms
µs
µs
ns
擦除和编程性能
(1)
28F020-90
参数
芯片擦除时间
(3)(5)
芯片编程时间
(3)(4)
民
典型值
0.5
4
最大
10
25
民
28F020-12
典型值
0.5
4
最大
10
25
单位
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
注意：
1.请参考电源特性的V值
PPH
和V
PPL
。在V
PP
供给既可以硬连接或切换。如果V
PP
被切换时，
V
PPL
可以是地面，小于V
CC
+ 2.0V或不带电阻连接到接地连接。
2.编程和擦除操作由内部停止定时器控制。
3. “标准结构'也无法保证，而是基于特征数据。在25℃下， 12.0V V截取数据
PP
.
4.最低字节编程时间（不包括系统开销）是16
µs
(10
µs
节目+ 6
µs
写恢复） ，而最大值为400
µs/
字节（ 16
µs
×25圈） 。不是因为规划算法允许的最坏的情况下指定的最大芯片编程时间降低
最字节的程序比最坏情况下字节显著更快。
5.排除00H编程前擦除。
6. CAT28F020-90 ，V
CCmin
= 4.75 V
文档。 1029号，版本C
6
CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
