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NE350184C 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE350184C
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内容描述: 异质结型场效应晶体管K- BAND超低噪声放大器N沟道HJ -FET [HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET]
分类和应用: 晶体放大器晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 265 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE350184C
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (T
A
= +25°C)
Parameter
Drain to Source Voltage
Drain Current
Input Power
Symbol
V
DS
I
D
P
in
MIN.
1
5
TYP.
2
10
MAX.
3
15
0
Unit
V
mA
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25°C)
Parameter
Gate to Source Leak Current
Saturated Drain Current
Gate to Source Cutoff Voltage
Transconductance
Noise Figure
Associated Gain
Symbol
I
GSO
I
DSS
V
GS (off)
g
m
NF
G
a
V
GS
=
−3
V
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V, I
D
= 100
µ
A
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA, f = 20 GHz
Test Conditions
MIN.
15
−0.2
40
11
TYP.
0.7
13.5
MAX.
10
70
−2.0
1.0
Unit
µ
A
mA
V
mS
dB
dB
2
Data Sheet PG10584EJ01V0S