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NE662M04-T2 参数 Datasheet PDF下载

NE662M04-T2图片预览
型号: NE662M04-T2
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 11 页 / 384 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE662M04
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
15
3.3
1.5
35
115
150
-65到+150
典型的噪声参数
频率。
(千兆赫)
NF
( dB)的
G
A
( dB)的
Γ
选择
MAG
(T
A
= 25˚C)
Rn/50
V
C =
2 V
,
I
C =
3毫安
0.8
0.9
1.0
1.5
1.8
1.9
2.0
2.5
0.78
0.80
0.82
0.93
1.00
1.02
1.04
1.15
21.4
20.7
20.0
17.0
15.6
15.2
14.8
13.5
0.26
0.26
0.26
0.23
0.20
0.19
0.19
0.20
31.7
32.7
34.7
57.0
78.0
86.0
94.2
138.3
0.17
0.17
0.17
0.16
0.14
0.14
0.13
0.10
注意:
1.操作中过量的这些参数中的任何一个,可能会导致
在永久性损坏。
V
C =
2 V
,
I
C =
5毫安
0.8
0.9
1.0
1.5
1.8
1.9
2.0
2.5
0.93
0.94
0.96
1.03
1.07
1.09
1.10
1.17
22.5
21.8
21.1
18.1
18.7
16.3
15.9
14.3
0.12
0.12
0.12
0.09
0.08
0.08
0.08
0.14
28.1
28.8
31.7
71.1
106.2
118.5
130.5
-179.7
0.15
0.15
0.15
0.14
0.13
0.13
0.12
0.11
典型的最优噪声匹配
(T
A
= 25˚C)
V
CE
= 2 V,L
C
= 5毫安, F = 1 GHz的
1.0
0.5
2.0
V
C =
2 V
,
I
C =
10毫安
0.8
0.9
1.0
1.5
1.8
1.9
2.0
2.5
1.28
1.29
1.30
1.37
1.41
1.43
1.44
1.51
23.7
23.0
22.3
19.3
17.8
17.3
16.9
15.3
0.07
0.07
0.08
0.13
0.18
0.17
0.19
0.25
-159.4
-157.5
-155.7
-149.2
-146.1
-146.0
-143.9
-136.7
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.2
NF
± 1.0分贝
Γ
选择
0
5.0
0
1.5分贝
-0.2
2.0分贝
3.0分贝
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
V
C =
2 V
,
I
C =
20毫安
0.8
0.9
1.0
1.5
1.8
1.9
2.0
2.5
1.59
1.61
1.63
1.72
1.78
1.79
1.81
1.90
24.5
23.7
23.0
19.9
18.3
17.9
17.5
15.8
0.28
0.28
0.27
0.30
0.33
0.34
0.35
0.40
-158.1
-155.5
-153.1
-142.6
-137.3
-135.7
-134.1
-126.5
0.12
0.13
0.13
0.14
0.15
0.08
0.16
0.18
V
CE
= 2 V,L
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
1.0
0.5
2.0
0.2
NF
= 1.1分贝
Γ
选择
5.0
0
热阻
0
1.5分贝
-0.2
2.0分贝
3.0分贝
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
符号
R
第j个-C
R
日J-一
价值
150
650
单位
° C / W
° C / W
结到外壳热阻
结到环境阻力