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NE662M04-T2 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE662M04-T2
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 11 页 / 384 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE662M04
典型性能曲线
正向插入增益
与频率的关系
30
40
(T
A
= 25˚C)
正向插入增益和
最大可用增益
与频率的关系
V
CE
= 2 V,
I
C
= 20毫安
20
正向插入增益, IS
21e
I
2
( dB)的
最大可用增益, MAG (分贝)
V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安
正向插入增益, IS
21
I
2
( dB)的
30
味精
20
IS
21
I
2
10
10
V
CE
= 2 V,
I
C
= 5毫安
MAG
0
0.1
1
2
10 12
0
0.1
1
2
10
频率f ( GHz)的
正向插入增益和
最大可用增益
与频率的关系
40
30.00
频率f ( GHz)的
最大稳定增益,插入
功率增益,最大可用
增益与集电极电流
正向插入增益, IS
21e
I
2
( dB)的
最大可用增益, MAG (分贝)
最大稳定增益,味精(分贝)
插入功率增益, IS
21
I
2
最大可用增益, MAG (分贝)
V
CE
= 2 V,I
C
= 20毫安
F = 2千兆赫,V
CE
= 2 V
25.00
MAG
20.00
味精
15.00
IS
21
I
2
30
味精
20
IS
21
I
2
MAG
10.00
10
5.00
0
0.1
0.00
1
2
10
1
10
100
频率f ( GHz)的
集电极电流,I
C
(MA )
最大稳定增益,插入
功率增益,最大可用
增益与集电极电流
30.00
最大稳定增益,味精(分贝)
插入功率增益, IS
21
I
2
最大可用增益, MAG (分贝)
F = 1千兆赫,V
CE
= 2 V
25.00
味精
20.00
MAG
IS
21
I
2
15.00
10.00
5.00
0.00
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )