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CEB01N6 参数 Datasheet PDF下载

CEB01N6图片预览
型号: CEB01N6
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 86 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEP01N6/CEB01N6
CEI01N6/CEF01N6
1.5
V
GS
=10,9,8V
2.5
25 C
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=6V
0.9
I
D
,漏电流( A)
1.2
2.0
1.5
0.6
1.0
0.3
0.5
T
J
=125 C
0.0
-55 C
4
5
6
7
V
GS
=5V
0.0
0
5
10
15
20
25
1
2
3
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
240
200
160
120
80
科斯
40
0
0
5
10
15
20
25
CRSS
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
西塞
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
I
D
=0.4A
V
GS
=10V
C,电容(pF )
-50
0
50
100
150
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
0
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
25
50
75
100
125
150
10
10
-1
10
-25
0
-2
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3