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CEB01N6 参数 Datasheet PDF下载

CEB01N6图片预览
型号: CEB01N6
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 86 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEP01N6/CEB01N6
CEI01N6/CEF01N6
V
GS
,门源电压( V)
10
V
DS
=480V
I
D
=0.8A
10
1
I
D
,漏电流( A)
8
R
DS ( ON)
极限
10
0
4
100µs
1ms
10ms
DC
6
4
10
-1
2
0
0
1
2
3
4
5
6
10
-2
T
C
=25 C
T
J
=150 C
单脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
QG ,总栅极电荷( NC)
图7.栅极电荷
V
DS
,漏源电压(V )
图8.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D(上)
V
OUT
t
D(关闭)
90%
10%
t
f
10%
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R(T ) ,归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
0.1
10
-1
P
DM
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
1. R
θJC
(吨) = R (t)的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
单脉冲
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
方波脉冲持续时间(秒)
图11.归瞬态热阻抗曲线
4-5