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    CEP62A3 参数 Datasheet PDF下载

    CEP62A3图片预览
    型号： CEP62A3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 52 K
    品牌： CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
     浏览型号CEP62A3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CEP62A3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEP62A3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CEP62A3的Datasheet PDF文件第5页  
    CEP62A3/CEB62A3
    电气特性（T
    C
    = 25°C除非另有说明）
    4
    参数
    开关特性
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    符号
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    I
    D（上）
    g
    FS
    b
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = 20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 26A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 21A
    V
    GS
    = 10V, V
    DS
    = 5V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 26A
    最小典型最大单位
    30
    1
    V
    µA
    100 nA的
    1
    8.5
    12
    60
    36
    1100
    3
    10
    15
    V
    mΩ
    mΩ
    A
    S
    P
    F
    P
    F
    P
    F
    基本特征
    a
    栅极阈值电压
    漏源导通电阻
    通态漏电流
    正向跨导
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    b
    V
    DS
    =15V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0MH
    Z
    600
    180
    19
    36
    97
    68
    35
    6
    11
    48
    72
    175
    135
    42
    开关特性
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    V
    DD
    = 15V,
    I
    D
    =60A,
    V
    根
    = 10V
    R
    G
    =24Ω
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    =15V
    ,
    I
    D
    = 30A
    ,
    V
    GS
    =10V
    4-178

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