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CEP62A3 参数 Datasheet PDF下载

CEP62A3图片预览
型号: CEP62A3
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 52 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEP62A3/CEB62A3
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时,归一化
门源阈值电压
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
1.15
I
D
=250 A
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
4
0
25
50
75 100 125 150
TJ ,结温( C)
TJ ,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
50
图6.击穿电压变化
随温度
50
g
FS
,跨导( S)
是,源极 - 漏极电流( A)
40
30
20
10
V
DS
=10V
0
0
10
20
30
40
10
1.0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
,漏源电流(A )
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图7.跨导变化
与漏极电流
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
V
GS
,门源电压( V)
V
DS
=15V
I
D
=30A
I
D
,漏电流( A)
10
2
RD
S(
)
ON
LIM
it
10
0
10
1
10
ms
DC
0ms
10
1m
s
s
10
0
-1
10
T
C
=25 C
TJ = 175℃
单脉冲
10
0
10
1
10
2
10
-1
QG ,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏源电压(V )
图9.栅极电荷
4-180
图10.最大安全
工作区