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CY62128VLL-55ZAI 参数 Datasheet PDF下载

CY62128VLL-55ZAI图片预览
型号: CY62128VLL-55ZAI
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内容描述: 128K ×8静态RAM [128K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 339 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62128V家庭
电气特性
在工作范围(续)
CY62128V-55/70
参数
I
SB2
描述
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
测试条件
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
& LT ; 0.3V , F = 0
Com'l
L
LL
XL
Ind'l
L
LL
分钟。
典型值。
[2]
0.4
马克斯。
100
15
10
100
30
单位
µA
µA
µA
µA
µA
电气特性
在整个工作范围
CY62128V25-100
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
O
& LT ; V
CC
,输出
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
IH
,
V
IN
& GT ; V
IH
or
V
IN
& LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
& LT ; 0.3V , F = 0
Indust'l温度范围
L
LL
L
LL
L
LL
LL
0.4
50
12
24
0.4
30
10
20
µA
µA
µA
15
300
5
100
µA
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -0.1毫安
V
CC
=最小值,我
OL
- 0.1毫安
2
–0.5
–1
–1
±1
±1
15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
20
0.7*
V
CC
–0.5
–1
–1
±0.1
±0.1
10
典型值。
马克斯。
CY62128V18-200
分钟。
0.8*
V
CC
0.2
V
CC
+0.3
0.3*
V
CC
+1
+1
15
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
I
SB1
I
SB2
电容
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 3.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意:
3.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
3