欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CY62128VLL-55ZAI 参数 Datasheet PDF下载

CY62128VLL-55ZAI图片预览
型号: CY62128VLL-55ZAI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128K ×8静态RAM [128K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 339 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号CY62128VLL-55ZAI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY62128VLL-55ZAI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY62128VLL-55ZAI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY62128VLL-55ZAI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY62128VLL-55ZAI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY62128VLL-55ZAI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY62128VLL-55ZAI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY62128VLL-55ZAI的Datasheet PDF文件第9页  
CY62128V家庭
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
1.8V
10%
GND
& LT ; 5纳秒
62128V–5
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
& LT ; 5纳秒
62128V–6
相当于:
戴维南等效
R
TH
V
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.3V
1213
1378
645
1.75V
2.5V
15909
4487
3500
0.55V
1.8V
10800
4154
3000
0.50V
单位
数据保持特性
(在整个工作范围内)
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
Com'l
L
LL,
XL
Ind'l
t
CDR[3]
t
R
L
LL
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 2V
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
& LT ; 0.3V
没有输入可能超过
V
CC
+0.3V
0
t
RC
条件
分钟。
1.6
0.4
10
10
20
20
典型值。
马克斯。
单位
V
µA
µA
µA
µA
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
1.8V
t
CDR
CE
C62128V–7
V
DR
> 1.6 V
1.8V
t
R
注意:
4.无输入可能超过V
CC
+0.3V.
4