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    CY62148ELL-45ZSXI 参数 Datasheet PDF下载

    CY62148ELL-45ZSXI图片预览
    型号： CY62148ELL-45ZSXI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512K ×8）静态RAM [4-Mbit (512K x 8) Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 942 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY62148ELL-45ZSXI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY62148ELL-45ZSXI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY62148ELL-45ZSXI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY62148ELL-45ZSXI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY62148ELL-45ZSXI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY62148ELL-45ZSXI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY62148ELL-45ZSXI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY62148ELL-45ZSXI的Datasheet PDF文件第9页  
    CY62148E的MoBL
    ®
    热阻
    [10]
    参数
    Θ
    JA
    Θ
    JC
    描述
    热阻
    （结到环境）
    热阻
    （结点到外壳）
    测试条件
    静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
    2层印刷电路板
    SOIC
    包
    75
    10
    TSOP II
    包
    77
    13
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    交流测试负载和波形
    V
    CC
    产量
    R1
    3.0V
    30 pF的
    INCLUDING
    夹具
    范围
    R2
    GND
    上升时间= 1 V / ns的
    10%
    所有的输入脉冲
    90%
    90%
    10%
    下降时间= 1 V / ns的
    相当于：
    戴维南
    当量
    产量
    参数
    R1
    R2
    R
    TH
    V
    TH
    5.0V
    1800
    990
    639
    1.77
    R
    TH
    V
    单位
    Ω
    Ω
    Ω
    V
    数据保持特性
    （在整个工作范围内）
    参数
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR的[10]
    t
    R [11]
    描述
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据保留时间
    手术恢复时间
    Ind'l /自动-A
    V
    CC
    = V
    DR
    ， CE＆ GT ; V
    CC
    – 0.2V,
    V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    - 0.2V或V
    IN
    ＆ LT ; 0.2V
    0
    t
    RC
    条件
    民
    2
    1
    7
    典型值
    [3]
    最大
    单位
    V
    µA
    ns
    ns
    数据保存波形
    数据保持方式
    V
    CC
    V
    CC（分钟）
    t
    CDR
    V
    DR
    ＆ GT ; 2.0V
    V
    CC（分钟）
    t
    R
    CE
    记
    11.全面的设备运行需要的线性V
    CC
    从V坡道
    DR
    到V
    CC（分钟）
    ＆ GT ; 100
    µs
    或稳定在V
    CC（分钟）
    ＆ GT ; 100
    µs.
    文件编号： 38-05442牧师* ˚F
    第10 4
    [+ ]反馈

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