CY62148E的MoBL
®
开关特性
（在整个工作范围内）
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
我们前高后低-Z
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE低到通电
CE高到掉电
0
45
10
18
0
55
5
18
10
20
10
45
22
5
20
45
45
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒
民
最大
民
55纳秒
最大
单位
笔记
12.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
为0〜 3V，并指定I的输出装
OL
/I
OH
如图中
13.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
14. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号都可以
中止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05442牧师* ˚F
第10个5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
