CY62148E的MoBL
®
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.................................- 0.5V至6.0V （V
CCmax
+ 0.5V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
................- 0.5V至6.0V （V
CCmax
+ 0.5V)
直流输入电压
............ -0.5V至6.0V （V
CCmax
+ 0.5V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
设备
CY62148E
范围
Ind'l /自动-A
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
4.5V至5.5V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
描述
输出高
电压
测试条件
I
OH
= -1毫安
45纳秒
最小值典型值
2.4
0.4
2.2
–0.5
V
CC
+ 0.5 2.2
0.8
–0.5
–1
–1
15
2
1
+1
+1
20
2.5
7
–1
–1
15
2
1
0.6
+1
+1
20
2.5
7
µA
µA
µA
mA
最大
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
55纳秒
最小值典型值
最大
单位
V
V
V
V
输出低电压I
OL
= 2.1毫安
输入高电压V
CC
= 4.5V至5.5V
输入低电压
V
CC
= 4.5V至5.5V TSOPII
包
对于SOIC
包
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB2 [9]
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
自动CE电源CE > V
CC
– 0.2V
断电流 -
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
电容
（对于所有的软件包）
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V脉冲持续时间小于20纳秒，因为我< 30毫安。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全面的设备交流操作假定至少100 μs的斜率时间为0至V
CC
（分钟）和200 μs的等待时间V后
CC
稳定。
8.在直流条件下的设备满足V
IL
的0.8V 。然而，在动态条件输入低电压施加到器件不能大于0.6V以上。这
只适用于SOIC封装。请参阅AN13470了解详细信息。
9.只有芯片使能（ CE）必须为高电平，在CMOS电平，以满足我
SB2
规格。其他输入可以悬空。
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05442牧师* ˚F
第10 3
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
