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CY62148ELL-55SXI 参数 Datasheet PDF下载

CY62148ELL-55SXI图片预览
型号: CY62148ELL-55SXI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8)静态RAM [4-Mbit (512K x 8) Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 942 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62148E的MoBL
®
开关波形
读周期1号
(地址转换控制)
t
RC
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
读周期2号
( OE控制)
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
数据输出
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
LZCE
数据有效
t
PD
50%
t
HZOE
t
HZCE
阻抗
I
CC
I
SB
写周期NO 。 1
(我们控制, OE高在写)
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
IO DATA
注21
t
HZOE
注意事项:
16.设备不断选择。 OE ,CE = V
IL
.
17.我们是高的读周期。
18.地址有效之前或类似CE变为低电平。
19.数据IO是,如果OE = V高阻
IH
.
20.如果CE变同时与WE高高时,输出保持在高阻抗状态。
21.在此期间,内部监督办公室在输出状态,输入信号不能被应用。
t
HD
数据有效
文件编号: 38-05442牧师* ˚F
第10 6